RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2839
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link