RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
4276
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link