RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2374
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link