RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2763
3384
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link