RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB vs A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3007
2429
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link