RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3708
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link