RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2962
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link