RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
48
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
1858
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-038.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link