RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2509
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link