RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
36
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2907
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link