RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
26
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link