RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2741
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link