RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
25
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2740
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link