RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
33
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
20
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link