RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3546
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link