RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
33
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
22
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3297
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link