RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
4322
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link