RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
24
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2946
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link