RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2422
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link