RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Porównaj
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
23400
Wokół strony 1.09 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
66
Prędkość odczytu, GB/s
16.4
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
23400
25600
Other
Opis
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3310
2429
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link