RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
36
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
20
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3244
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link