RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2579
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link