RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
2464
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link