Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 42

Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

23.7 13.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

18.3 8.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 12800

Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2150 4124

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns