RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 12.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.8
    Średnia wartość w badaniach
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB Powody do rozważenia
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 12.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2150 left arrow 2176

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Pamięć RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Pamięć RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Pamięć RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Pamięć RAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Pamięć RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Pamięć RAM