RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
37
43
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2506
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link