RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
3113
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link