RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3505
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link