RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4124
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link