RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2881
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link