RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2638
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link