RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3120
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link