RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3332
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link