RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3693
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link