RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3417
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link