RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2821
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link