RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
17
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3550
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link