RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3606
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link