RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4167
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link