RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
4167
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link