RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3507
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link