RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3619
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link