RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2384
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link