RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2310
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link