RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2917
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link