RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2119
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link