RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3701
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link