RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3779
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link