RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
16
35
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
16
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
21.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3952
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link