RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3052
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link