RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2548
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link